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一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法
一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法
发明专利
有效专利
三维集成
申请日:
2018-09-28
当前状态:
授权
国际分类号:
H01L23/538
、
H01L21/768
、
B82Y30/00
发明人:
赵文生,胡庆豪,傅楷,王高峰
申请人:
杭州电子科技大学
一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法
一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法
发明专利
有效专利
三维集成
申请日:
2018-09-28
当前状态:
授权
国际分类号:
H01L23/48
、
H01L23/552
、
H01L21/768
、
B82Y30/00
发明人:
赵文生,胡庆豪,傅楷,王高峰
申请人:
杭州电子科技大学
便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺
便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺
发明专利
有效专利
三维集成
申请日:
2019-08-09
当前状态:
授权
国际分类号:
H01L23/538
、
H01L21/768
、
B82Y30/00
发明人:
赵文生,胡庆豪,王晶,胡月,王高峰
申请人:
杭州电子科技大学
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