[0021] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合实施例对本发明产品作进一步详细的说明。
[0022] 本实施例中所使用到的原料来自于国药集团化学试剂有限公司。
[0023] 实施例1：
[0024] 一种超级电容器用电极的制备方法，包括如下步骤：
[0025] 1)介孔Zn-Ru-O的制备：将700g氯化锌和300g硝酸钌完全溶解于去离子水中，再加入200g十六烷基三甲基溴化铵和100g柠檬酸，混合均匀，得到悬浮液；然后将得到的悬浮液置于带有聚四氟乙烯内衬的晶化反应釜中，在180℃温度条件下反应26h，反应结束后将反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离出沉淀，洗涤、抽滤，得到的样品；最后将得到的样品130℃温度下干燥26h，将干燥得到的粉体置于马弗炉中，以6℃/min升温速率升温至700℃后，焙烧6h，获得具有介孔结构的Zn-Ru-O。
[0026] 2)介孔Zn-Ru-O表面修饰：将步骤1)中制备得到的介孔Zn-Ru-O 400g、120g氨基硅烷偶联剂加入乙醇600g中，室温机械搅拌8小时，于100℃下烘8小时；
[0027] 3)氮掺杂氧化石墨烯材料的制备：将氧化石墨烯200g与60g羟乙基六氢均三嗪加入200g乙腈中，在60℃下搅拌8小时，再经过过滤，干燥等步骤得到氮掺杂氧化石墨烯材料；
[0028] 4)电极材料的制备：将步骤3)中制备得到的氮掺杂氧化石墨烯材料200g与步骤2)中制备得到的表面修饰的介孔Zn-Ru-O 100g混合均匀，在氮气氛围保护下，于800℃下碳化4小时得到电极材料；
[0029] 5)电极的制备：分别称取电极材料20g、乙炔黑6g、PTFE乳液4g、乙醇20g，混合，超声1小时使其形成均匀的浆料。接着将浆料转移至辊压机上制成薄片，取适量置于1cm×1cm泡沫镍上，在10MPa压力下压制成电极。最后将该电极放入真空烘箱，在80℃下烘干，待用；
[0030] 经采用新威CT-3008型高精度电池/电容性能测试系统采用恒流充放电模式进行充放电性能测试，本实施例提供的超级电容器电流密度为100mA/g；电压范围为0.8～1.9V，测试温度为22±1℃时，在0.8～1.9V范围内呈现对称性良好的锯齿形曲线，极间电压与时间呈现近乎线性的变化，说明其可逆性好；在电压范围为0.8～1.9V，充放电电流为200mA/g，测试温度为22±1℃时循环性能很稳定，另外，测得此超级电容的比能量可高达50Wh/kg。
[0031] 实施例2
[0032] 一种超级电容器用电极的制备方法，包括如下步骤：
[0033] 1)介孔Zn-Ru-O的制备：将700g氯化锌和300g硝酸钌完全溶解于去离子水中，再加入220g十二烷基苯磺酸钠和120g柠檬酸钠，混合均匀，得到悬浮液；然后将得到的悬浮液置于带有聚四氟乙烯内衬的晶化反应釜中，在185℃温度条件下反应28h，反应结束后将反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离出沉淀，洗涤、抽滤，得到的样品；最后将得到的样品130℃温度下干燥28h，将干燥得到的粉体置于马弗炉中，以6℃/min升温速率升温至700℃后，焙烧7h，获得具有介孔结构的Zn-Ru-O。
[0034] 2)介孔Zn-Ru-O表面修饰：将步骤1)中制备得到的介孔Zn-Ru-O 400g、140g氨基硅烷偶联剂加入乙醇600g中，室温机械搅拌9小时，于100℃下烘9小时；
[0035] 3)氮掺杂氧化石墨烯材料的制备：将氧化石墨烯200g与60g羟乙基六氢均三嗪加入200g乙腈中，在70℃下搅拌9小时，再经过过滤，干燥等步骤得到氮掺杂氧化石墨烯材料；
[0036] 4)电极材料的制备：将步骤3)中制备得到的氮掺杂氧化石墨烯材料200g与步骤2)中制备得到的表面修饰的介孔Zn-Ru-O 100g混合均匀，在氩气氛围保护下，于900℃下碳化6小时得到电极材料；
[0037] 5)电极的制备：分别称取电极材料20g、乙炔黑6g、PTFE乳液4g、乙醇20g，混合，超声1小时使其形成均匀的浆料。接着将浆料转移至辊压机上制成薄片，取适量置于1cm×1cm冲孔镀镍钢带上，在10MPa压力下压制成电极。最后将该电极放入真空烘箱，在85℃下烘干，待用。
[0038] 实施例3
[0039] 一种超级电容器用电极的制备方法，包括如下步骤：
[0040] 1)介孔Zn-Ru-O的制备：将700g氯化锌和300g硝酸钌完全溶解于去离子水中，再加入240g乙二胺四乙酸和150g酒石酸，混合均匀，得到悬浮液；然后将得到的悬浮液置于带有聚四氟乙烯内衬的晶化反应釜中，在190℃温度条件下反应28h，反应结束后将反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离出沉淀，洗涤、抽滤，得到的样品；最后将得到的样品130℃温度下干燥29h，将干燥得到的粉体置于马弗炉中，以6℃/min升温速率升温至700℃后，焙烧7h，获得具有介孔结构的Zn-Ru-O。
[0041] 2)介孔Zn-Ru-O表面修饰：将步骤1)中制备得到的介孔Zn-Ru-O 200g、65g氨基硅烷偶联剂加入乙醇300g中，室温机械搅拌9.2小时，于100℃下烘8.8小时；
[0042] 3)氮掺杂氧化石墨烯材料的制备：将氧化石墨烯200g与75g羟乙基六氢均三嗪加入200g乙腈中，在72℃下搅拌9小时，再经过过滤，干燥等步骤得到氮掺杂氧化石墨烯材料；
[0043] 4)电极材料的制备：将步骤3)中制备得到的氮掺杂氧化石墨烯材料200g与步骤2)中制备得到的表面修饰的介孔Zn-Ru-O100g混合均匀，在氦气氛围保护下，于930℃下碳化7小时得到电极材料；
[0044] 5)电极的制备：分别称取电极材料20g、乙炔黑6g、PTFE乳液4g、乙醇20g，混合，超声1小时使其形成均匀的浆料。接着将浆料转移至辊压机上制成薄片，取适量置于1cm×1cm钢带上，在10MPa压力下压制成电极。最后将该电极放入真空烘箱，在91℃下烘干，待用。
[0045] 实施例4
[0046] 一种超级电容器用电极的制备方法，包括如下步骤：
[0047] 1)介孔Zn-Ru-O的制备：将700g氯化锌和300g硝酸钌完全溶解于去离子水中，再加入260g十六烷基三甲基溴化铵和200g苹果酸，混合均匀，得到悬浮液；然后将得到的悬浮液置于带有聚四氟乙烯内衬的晶化反应釜中，在195℃温度条件下反应24h，反应结束后将反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离出沉淀，洗涤、抽滤，得到的样品；最后将得到的样品130℃温度下干燥28h，将干燥得到的粉体置于马弗炉中，以6℃/min升温速率升温至700℃后，焙烧7.5h，获得具有介孔结构的Zn-Ru-O。
[0048] 2)介孔Zn-Ru-O表面修饰：将步骤1)中制备得到的介孔Zn-Ru-O 200g、80g氨基硅烷偶联剂加入乙醇300g中，室温机械搅拌9.5小时，于100℃下烘9.5小时；
[0049] 3)氮掺杂氧化石墨烯材料的制备：将氧化石墨烯200g与8g羟乙基六氢均三嗪加入200g乙腈中，在76℃下搅拌9小时，再经过过滤，干燥等步骤得到氮掺杂氧化石墨烯材料；
[0050] 4)电极材料的制备：将步骤3)中制备得到的氮掺杂氧化石墨烯材料200g与步骤2)中制备得到的表面修饰的介孔Zn-Ru-O100g混合均匀，在氮气氛围保护下，于960℃下碳化7.5小时得到电极材料；
[0051] 5)电极的制备：分别称取电极材料20g、乙炔黑6g、PTFE乳液4g、乙醇20g，混合，超声1小时使其形成均匀的浆料。接着将浆料转移至辊压机上制成薄片，取适量置于1cm×1cm不锈钢网上，在10MPa压力下压制成电极。最后将该电极放入真空烘箱，在95℃下烘干，待用。
[0052] 实施例5
[0053] 一种超级电容器用电极的制备方法，包括如下步骤：
[0054] 1)介孔Zn-Ru-O的制备：将700g氯化锌和300g硝酸钌完全溶解于去离子水中，再加入300g十二烷基苯磺酸钠和250g柠檬酸钠，混合均匀，得到悬浮液；然后将得到的悬浮液置于带有聚四氟乙烯内衬的晶化反应釜中，在200℃温度条件下反应30h，反应结束后将反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离出沉淀，洗涤、抽滤，得到的样品；最后将得到的样品130℃温度下干燥30h，将干燥得到的粉体置于马弗炉中，以6℃/min升温速率升温至700℃后，焙烧8h，获得具有介孔结构的Zn-Ru-O。
[0055] 2)介孔Zn-Ru-O表面修饰：将步骤1)中制备得到的介孔Zn-Ru-O 200g、80g氨基硅烷偶联剂加入乙醇300g中，室温机械搅拌10小时，于100℃下烘10小时；
[0056] 3)氮掺杂氧化石墨烯材料的制备：将氧化石墨烯200g与80g羟乙基六氢均三嗪加入200g乙腈中，在80℃下搅拌10小时，再经过过滤，干燥等步骤得到氮掺杂氧化石墨烯材料；
[0057] 4)电极材料的制备：将步骤3)中制备得到的氮掺杂氧化石墨烯材料200g与步骤2)中制备得到的表面修饰的介孔Zn-Ru-O100g混合均匀，在氩气氛围保护下，于1000℃下碳化8小时得到电极材料；
[0058] 5)电极的制备：分别称取电极材料20g、乙炔黑6g、PTFE乳液4g、乙醇20g，混合，超声1小时使其形成均匀的浆料。接着将浆料转移至辊压机上制成薄片，取适量置于1cm×1cm泡沫镍上，在10MPa压力下压制成电极。最后将该电极放入真空烘箱，在100℃下烘干，待用。
[0059] 以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按以上所述而顺畅地实施本发明；但是，凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，可利用以上所揭示的技术内容而作出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时，凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。
